[언론보도] 휴대폰 메모리 10배 이상 빠르게… 원천기술 개발(조선일보 2010.1.21)

2010-01-21l Hit 14321


국내 연구진이 휴대폰에 들어가는 플래시 메모리의 집적도와 반응속도를 획기적으로 향상시키는 원천기술을 개발했다. 이에 따라 휴대폰 전화번호 저장량이 대폭 늘어나고 검색속도가 빨라질 전망이다.

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  [ 박병국 서울대 교수]

서울대 전기컴퓨터공학부 박병국 교수팀은 "플래시 메모리의 하나인 노어(NOR) 반도체의 약점인 집적도를 기존보다 6배 이상 향상시킨 기술을 개발했다"고 20일 밝혔다.

플래시 메모리는 전원이 꺼져도 저장된 내용이 지워지지 않는 메모리다. 여기에는 집적도는 낮으나 동작 속도가 빠른 노어형과 집적도는 높으나 동작 속도가 느린 낸드(NAND)형 두 가지가 있다. 이런 특성 때문에 휴대폰에는 노어형 플래시 메모리가, 디지털 카메라에는 낸드형 플래시 메모리가 주로 쓰인다. 플래시 메모리를 내장한 휴대폰은 배터리가 완전히 방전된 상태에서도 저장된 전화번호를 지우지 않는다.

박 교수팀은 노어형 플래시 메모리의 전자회로를 일부 변환해 집적도를 6배 높였다. 집적도 향상의 비결은 가로로 누워 있던 일부 전자 회로를 세로로 세운 것이다. 성냥개비를 가로로 눕히는 것보다 세우면 같은 면적에 보다 많은 성냥개비를 넣을 수 있는 것과 비슷한 원리다. 회로를 세로로 세우면서 전자의 이동도 빨라져 반응 속도 또한 10배 이상 향상됐다. 전화번호 저장량이 6배나 늘어날 뿐 아니라, 번호 검색속도도 빨라질 수 있다는 의미이다. 박 교수는 "새로운 플래시 메모리를 기존의 반도체 공정에 적응시키는 과제가 남았다"며 "5년 정도면 상용화가 가능할 것으로 보인다"고 말했다. 박 교수팀은 관련 내용을 미국 전기전자공학회(IEEE)가 발간하는 국제학술지 '전자부품(Electron Device Letters)'에 지난달 발표했다.